các sản phẩm

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 là sản phẩm thyristor cổng chuyển mạch tích hợp (IGCT) của ABB, thuộc dòng 5SHY.

IGCT là một loại thiết bị điện tử mới xuất hiện vào cuối những năm 1990.

Nó kết hợp những ưu điểm của IGBT (transistor lưỡng cực cổng cách điện) và GTO (thyristor tắt cổng), và có đặc điểm là tốc độ chuyển mạch nhanh, dung lượng lớn và công suất truyền động yêu cầu lớn.

Cụ thể, dung lượng của 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 tương đương với GTO, nhưng tốc độ chuyển mạch của nó nhanh hơn GTO gấp 10 lần, điều đó có nghĩa là nó có thể hoàn thành hành động chuyển mạch trong thời gian ngắn hơn và do đó cải thiện hiệu suất chuyển đổi năng lượng.

Ngoài ra, so với GTO, IGCT có thể tiết kiệm được mạch giảm chấn lớn và phức tạp, giúp đơn giản hóa thiết kế hệ thống và giảm chi phí.

Tuy nhiên, cần lưu ý rằng mặc dù IGCT có nhiều ưu điểm nhưng công suất truyền động cần thiết vẫn còn lớn.

Điều này có thể làm tăng mức tiêu thụ năng lượng và độ phức tạp của hệ thống. Ngoài ra, mặc dù IGCT đang cố gắng thay thế GTO trong các ứng dụng công suất cao, nhưng nó vẫn đang phải đối mặt với sự cạnh tranh gay gắt từ các thiết bị mới khác (như IGBT).

5SHY4045L00013BHB018162R0001 Transistor cổng tích hợp|GCT (Transistor cổng tích hợp) là một thiết bị bán dẫn công suất mới được sử dụng trong các thiết bị điện tử công suất lớn ra đời vào năm 1996.

IGCT là thiết bị chuyển mạch bán dẫn công suất cao mới dựa trên cấu trúc GTO, sử dụng cấu trúc cổng tích hợp cho ổ cứng cổng, sử dụng cấu trúc lớp đệm giữa và công nghệ phát xạ trong suốt anode, với đặc tính trạng thái bật của thyristor và đặc tính chuyển mạch của transistor.

5SHY4045L000) 3BHBO18162R0001 sử dụng cấu trúc đệm và công nghệ phát xạ nông, giúp giảm tổn thất động khoảng 50%.

Ngoài ra, loại thiết bị này còn tích hợp một diode tự do có đặc tính động tốt trên một con chip, sau đó hiện thực hóa sự kết hợp hữu cơ giữa độ sụt điện áp trạng thái bật thấp, điện áp chặn cao và đặc tính chuyển mạch ổn định của thyristor theo một cách độc đáo.