Thẻ giảm chấn IGBT Q DB của GE DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA
Sự miêu tả
| Sản xuất | GE |
| Người mẫu | DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA |
| Thông tin đặt hàng | DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA |
| Danh mục | Speedtronic Mark V |
| Sự miêu tả | Thẻ giảm chấn IGBT Q DB của GE DS200ITXDG1A DS200ITXDG1AAA |
| Nguồn gốc | Hoa Kỳ (US) |
| Mã HS | 85389091 |
| Kích thước | 16cm*16cm*12cm |
| Cân nặng | 0,8kg |
Chi tiết
Bo mạch giảm chấn IGBT DS200ITXDG1A MK V General Electric
DS200ITXDG1A là một thành phần bo mạch được GE chế tạo để sử dụng trong hệ thống Speedtronic Mark V. MKV là một trong những hệ thống Speedtronic được GE phát triển sau này để quản lý tua bin khí và hơi nước. Nó bao gồm kiến trúc TMR chịu lỗi với hai trong ba lần bỏ phiếu về các thông số bảo vệ và điều khiển quan trọng.
MKV có khả năng được thiết lập ở dạng Simplex cho các hệ thống ít phức tạp hơn và vẫn cung cấp khả năng kiểm soát chịu lỗi thông qua các thiết lập phần mềm với thiết kế này. Có thể mua bo mạch MKV từ AX Control dưới dạng các đơn vị được tân trang lại, đã được kiểm tra đầy đủ.
DS200ITXDG1A là một bo mạch nhỏ có chức năng như một bo mạch IGBT Snubber. Snubber được thiết kế như các mạch hấp thụ năng lượng có thể ngăn chặn các xung điện áp xảy ra khi công tắc mở. Công tắc có thể là điện hoặc cơ. Đây là một bo mạch phụ trợ kết nối với bo mạch chủ lớn hơn.
DS200ITXDG1A được thiết kế với các lỗ khoan ở mỗi góc và các vết lõm nhỏ dọc theo các cạnh. Bo mạch có một số bộ tản nhiệt để tản nhiệt nhanh chóng. Bo mạch được lắp nhiều đầu nối stab-on, tụ gốm, diode, đầu nối chân cắm dọc và tám tụ polypropylene Wima FKP 1.
Các tụ điện này được thiết kế cho nhiệm vụ xung cao và tự phục hồi. Chúng có hệ số tiêu tán rất thấp và điện dung thay đổi âm so với nhiệt độ. Các thành phần này được đặt trên bảng mạch theo hai hàng bốn ở các mặt đối diện của bảng mạch.
DS200ITXDG1A là một thành phần bo mạch do GE phát triển để sử dụng trong hệ thống Speedtronic Mark V và là một bo mạch phụ kết nối với bo mạch chủ lớn hơn. MKV là một trong những hệ thống Speedtronic được GE phát triển sau này để quản lý tua bin khí và hơi nước. Bo mạch này được trang bị kiến trúc TMR chịu lỗi với hai trong ba lần bỏ phiếu cho các điều khiển quan trọng và các thông số bảo vệ. Nó cũng có khả năng được thiết lập ở dạng Simplex cho các hệ thống ít phức tạp hơn và vẫn cung cấp khả năng điều khiển chịu lỗi thông qua các cài đặt phần mềm với thiết kế này. Bo mạch này chủ yếu hoạt động như một Bo mạch IGBT Snubber và được thiết kế như một mạch hấp thụ năng lượng có thể ngăn chặn các xung điện áp xảy ra khi công tắc mở cho dù công tắc đó là điện hay cơ. Nó được thiết kế với các lỗ khoan ở mỗi góc và có các vết lõm nhỏ dọc theo các cạnh cũng như một số bộ tản nhiệt để cho phép tản nhiệt tích tụ nhanh chóng.
Được trang bị một số đầu nối stab-on, tụ điện gốm, diode, đầu nối chân cắm dọc và tám tụ điện polypropylene Wima FKP 1. Các tụ điện được thiết kế cho nhiệm vụ xung cao, tự phục hồi và có hệ số tiêu tán rất thấp cũng như thay đổi điện dung âm so với nhiệt độ.
