Bo mạch I/O tương tự RST GE DS215TCQBG1BZZ01A(DS200TCQBG1BBA)
Sự miêu tả
| Sản xuất | GE |
| Người mẫu | DS215TCQBG1BZZ01A |
| Thông tin đặt hàng | DS215TCQBG1BZZ01A |
| Danh mục | Mark V |
| Sự miêu tả | Bo mạch I/O tương tự RST GE DS215TCQBG1BZZ01A(DS200TCQBG1BBA) |
| Nguồn gốc | Hoa Kỳ (US) |
| Mã HS | 85389091 |
| Kích thước | 16cm*16cm*12cm |
| Cân nặng | 0,8kg |
Chi tiết
DS215TCQBG1BZZ01A là Bo mạch mở rộng I/O có EPROM do General Electric sản xuất và thiết kế như một phần của Dòng Mark V được sử dụng trong Hệ thống điều khiển tua bin khí GE Speedtronic.
Bo mạch mở rộng I/O với EPROM (Bộ nhớ chỉ đọc có thể xóa và lập trình) là thiết bị phần cứng cung cấp khả năng nhập/xuất (I/O) bổ sung và bao gồm chip EPROM để lưu trữ dữ liệu hoặc lệnh chương trình.
Vi điều khiển: Bo mạch thường có một vi điều khiển làm đơn vị xử lý chính. Nó có thể là vi điều khiển 8 bit, 16 bit hoặc 32 bit, tùy thuộc vào độ phức tạp và yêu cầu hiệu suất mong muốn.
Chip EPROM: Bo mạch sẽ tích hợp chip EPROM, đây là bộ nhớ không mất dữ liệu, có thể lập trình và xóa bằng điện.
EPROM sẽ cung cấp bộ nhớ cho các lệnh chương trình hoặc dữ liệu mà vi điều khiển có thể truy cập.
Giải mã địa chỉ: Bo mạch mở rộng sẽ bao gồm mạch giải mã địa chỉ để cho phép vi điều khiển giao tiếp với EPROM và truy cập nội dung của nó.
Nguồn điện và kết nối: Bo mạch sẽ yêu cầu nguồn điện, thường là 5V hoặc 3,3V và có thể bao gồm các đầu nối hoặc tiêu đề để kết nối với các thiết bị hoặc hệ thống bên ngoài.
